GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 2028 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

148-GP3T016A120H

メーカ番号：

GP3T016A120H

メーカ：

SemiQ

詳細：

SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

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GP3T016A120H データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4L
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	350 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	23 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	260 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	484 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	29 S
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	25 ns
シリーズ:	GP3T
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	SiC MOSFET
標準電源切断遅延時間:	65 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	21 ns

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データシート

GP3T016A120H データシート (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GEN3 1,200V SiC MOSFET ディスクリートデバイス

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.