SCTH60N120G2-7

STMicroelectronics
511-SCTH60N120G2-7
SCTH60N120G2-7

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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ライフサイクル:
製造中止
データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
配送制限
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RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
60 A
52 mOhms
3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
390 W
Enhancement
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 14 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 15 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 16 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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