IXTB500N20X4

Name: IXYS IXTB500N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTB500N20X4
Price: 5670 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXTB500N20X4

メーカ番号：

IXTB500N20X4

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

IXTB500N20X4 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXTB500N20X4の詳細を読む

在庫状況

在庫：: 0

この製品は入荷待ちとして購入することができます。

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 47 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

600を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥5,670.6	¥5,671
	¥4,926.4	¥49,264
	¥4,307.1	¥430,710

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	400 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.65 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	535 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	1.56 kW
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
下降時間:	485 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	560 ns
工場パックの数量:	25
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	600 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	200 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXTB500N20X4 データシート (PDF)

TARIC:: 8541290000

X4-ClassパワーMOSFET

IXYS X4クラスパワーMOSFETは、低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。これらのパワーMOSFETはPLUSパッケージを採用しており、より高い定格電流に対応し、電力密度の向上を可能にします。X4クラスパワーMOSFETは、標準的なTO-247パッケージとピン互換性があり、既存のデザインから高出力へのアップグレードが容易です。これらのパワーMOSFETは、低ゲート電荷および低熱抵抗を特徴としています。代表的なアプリケーションには、DCロードスイッチ、バッテリ保護、バッテリ OR-ing、バッテリエネルギー貯蔵システム、DC/DC昇降圧コンバータなどが含まれます。