B82804E0164A200

EPCOS / TDK
871-B82804E0164A200
B82804E0164A200

メーカ：

詳細：
電力変圧器 Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

ライフサイクル:
工場特別発注:
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 245

在庫：
245 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
25 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
245を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥799.5 ¥800
¥639.9 ¥6,399
完全リール（250の倍数で注文）
250 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
TDK
製品カテゴリー: 電力変圧器
RoHS:  
Power Transformers
SMD/SMT
Single Primary Winding
Dual Secondary Winding
11.45 mm
10.7 mm
10.55 mm
EP9
ブランド: EPCOS / TDK
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
インダクタンス: 260 uH
最高動作温度: + 150 C
最低動作温度: - 40 C
動作周波数: 100 kHz to 400 kHz
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: Power Transformers
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Transformers
末端様式: SMD/SMT
巻数比: 1:2.8:1.53
タイプ: Half Bridge
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
850431000
USHTS:
8504312000
ECCN:
EAR99

EP9 IGBTゲートドライブトランス

EPCOS/ TDK  EP9 IGBTゲートドライブトランスは、マンガン亜鉛フェライトコアで構築されたコンパクトなデバイスで、SMD Lピン構造になっています。これらのトランスには、優れた絶縁性、最小限のカップリング容量、高熱弾性を備えています。EP9 IGBTゲートドライブトランスは、ハーフブリッジまたはプッシュプルトポロジーをサポートしています。これらのトランスは、低カップリング容量2pF、および ≥クリアランス距離（累積およびコア浮動）5mmが特徴です。EP9 IGBTゲートドライブトランスは、  周波数範囲100kHz ~ 400kHz内、および周波数範囲-40°C ~ 150°C内で動作します。 これらのトランス はRoHS対応で、AEC-Q200認証済みです。EP9 IGBTゲートドライブトランスは、IGBTおよびFETゲートドライバ回路用に特別に設計されています。代表的なアプリケーションには、絶縁DC-DCコンバータ、絶縁AC-DCコンバータ、ゲートドライバ回路があります。

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