DS1230AB シリーズ NVRAM

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数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最大
供給電圧 - 最小
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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163在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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46在庫
24取寄中
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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6在庫
最低： 1
複数： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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23在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 85 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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36在庫
最低： 1
複数： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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59在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 120 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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59在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 150 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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11在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 120 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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20在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 200 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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40在庫
最低： 1
複数： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube