ISSI SRAM

結果: 1,230
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 480
複数: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 480
複数: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 512 k x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 DDR-II Sync SRAM 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 在庫なし
最低: 800
複数: 800
: 800

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 在庫なし
最低: 1
複数: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 1 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 1 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

72 Mbit 2 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb 2Mx18 333Mhz QUAD Sync SRAM 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 DDR-II Sync SRAM 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb (512Kx36) Sync SRAM 2.5v 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 36Mb 250Mhz 1Mx36 DDR II Sync SRAM 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 1 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 105
複数: 105

36 Mbit 2 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 144
複数: 144

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray