最新のMOSFET
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STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
07/22/2024
07/22/2024
800V、ツェナー・ダイオードによる保護、100%アバランシェ試験済み。フライバック・コンバータおよびLED照明に最適。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET
10/01/2023
10/01/2023
MDメッシュK6技術が採用されており、スーパージャンクション技術における20年の経験が活用されています。
STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET
08/18/2023
08/18/2023
車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V Nチャネル STripFET MOSFET
05/08/2023
05/08/2023
このデバイスには、STのSTripFET F8テクノロジーが活用されており、強化されたトレンチ ゲート構造が特徴です。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6パワーMOSFET
01/25/2023
01/25/2023
ツェナー保護と100%アバランシェが特徴の高電圧NチャンネルパワーMOSFETです。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V NチャンネルパワーMOSFET
10/19/2022
10/19/2022
高電圧NチャンネルパワーMOSFETで、究極のMDmesh K6技術を使用して設計されています。
STMicroelectronics STL325N4LF8AG NチャンネルパワーMOSFET
06/24/2022
06/24/2022
STripFET F8技術が活用されており、強化されたトレンチゲート構造が特徴です。
STMicroelectronics STL320N4LF8 NチャンネルSTripFET F8パワーMOSFET
06/21/2022
06/21/2022
STripFET F8 trench MOSFET技術を用いて製造されています。
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET
05/27/2022
05/27/2022
ファストリカバリ・ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに最適。
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9パワーMOSFET
05/25/2022
05/25/2022
領域ごとに非常に低いRDS(on)を特徴とする中/高電圧MOSFETを対象に設計されています。
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6パワーMOSFET
05/04/2022
05/04/2022
優れたRDS（on） x領域および低Qg が特徴で、高スイッチング速度と低損失を実現できます。
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onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET
06/23/2025
06/23/2025
優れた熱性能と低RDS(on)を発揮し、コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに収められています。
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET
06/09/2025
06/09/2025
低RDS (on) 値と高速スイッチング特性が特徴で、省スペースDFN-8パッケージに収められています。
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650VパワーMOSFET
06/03/2025
06/03/2025
スーパージャンクション（SJ）原理に従って設計されており、スイッチング損失と導通損失が低く抑えられています。
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFET
04/30/2025
04/30/2025
優れたゲート充電とRDS(on) の製品（FOM）、低オン抵抗RDS(on) が特徴です。
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
04/28/2025
04/28/2025
AEC-Q101準拠のµ8FL 3.3mm x 3.3mm小型フットプリントパッケージで、低いRDS(on) と少ない静電容量を提供します。
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
04/28/2025
04/28/2025
AEC-Q101準拠のµ8FL 3.3mm x 3.3mm小型パッケージで低いRDS(on) と少ない静電容量を提供します。
PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs
04/21/2025
04/21/2025
Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
04/17/2025
04/17/2025
低RDS (on) と静電容量が備わっており、小型AEC-Q101準拠 SO-8FL 5mm x 6mmパッケージに収められています。
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
04/16/2025
04/16/2025
Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.
Nexperia PXNx Nチャンネル ロジックレベル トレンチMOSFET
04/14/2025
04/14/2025
さまざまなアプリケーションでの高効率電源管理用に設計された60Vおよび100V MOSFETです。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150VパワーMOSFET
04/11/2025
04/11/2025
業界をリードする低RDS(on) 、改善されたスイッチング性能、および優れたEMI動作を特徴としています。
Renesas Electronics REXFET-1 100V & 150V パワーMOSFET
03/21/2025
03/21/2025
ウェッタブルフランクリードを使用するスプリットゲートテクノロジーを採用しており、大電流アプリケーションに最適です。
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