最新の個別半導体
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Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD & EOS保護
07/03/2025
07/03/2025
このESDおよびEOS保護は高速イーサネットラインを保護するために特別に開発されています。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
07/01/2025
パッケージはTOLT、TO247、TOLLが選択でき、Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォームを使用しています。
ROHM Semiconductor 高効率ショットキーバリアダイオード
07/01/2025
07/01/2025
低い順方向電圧(VF)と低い逆方向電流(IR)のバランスを最適化するよう設計されており、フリーホイールダイオードとしてよく使用されます。
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06/30/2025
06/30/2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
Semtech RClamp03348P RailClamp®ESD保護ダイオード
06/27/2025
06/27/2025
ESDピーククランピングおよび TLPクランピング電圧の両方を最小限に抑えるように設計されています。
onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET
06/23/2025
06/23/2025
優れた熱性能と低RDS(on)を発揮し、コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに収められています。
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET
06/09/2025
06/09/2025
低RDS (on) 値と高速スイッチング特性が特徴で、省スペースDFN-8パッケージに収められています。
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650VパワーMOSFET
06/03/2025
06/03/2025
スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、スイッチング損失と導通損失が低く抑えられています。
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