最新のトランジスタ
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Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
07/01/2025
パッケージはTOLT、TO247、TOLLが選択でき、Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォームを使用しています。
onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET
06/23/2025
06/23/2025
優れた熱性能と低RDS(on)を発揮し、コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに収められています。
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET
06/09/2025
06/09/2025
低RDS (on) 値と高速スイッチング特性が特徴で、省スペースDFN-8パッケージに収められています。
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650VパワーMOSFET
06/03/2025
06/03/2025
スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、スイッチング損失と導通損失が低く抑えられています。
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET
06/03/2025
06/03/2025
車載用・産業用認定済みのMOSFET。最大ドレイン・ソース間オン抵抗78mΩ。
onsemi NXH015F120M3F1PTGシリコンカーバイド(SiC)モジュール
05/23/2025
05/23/2025
15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET(フルブリッジ)とサーミスタが特長。Al2O3 DBC基板を採用し、F1パッケージで提供。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
05/22/2025
05/22/2025
高度な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を実装することによって作成されました。
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5パワートランジスタ
05/02/2025
05/02/2025
優れた効率性が備わった高周波数で動作するように設計されており、超高速スイッチングを実現しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200VパワーMOSFET
04/30/2025
04/30/2025
優れたゲート充電とRDS(on) の製品(FOM)、低オン抵抗RDS(on) が特徴です。
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