STMicroelectronics 個別半導体

結果: 4,074
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数量 RoHS 製品タイプ
技術
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パッケージ/ケース

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
データシート
540在庫
600取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
データシート
766在庫
最低： 1
複数： 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
データシート
496在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1
: 2,000

MOSFETs
STMicroelectronics MOSFET N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
データシート
910在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

MOSFETs
STMicroelectronics SIC SCHOTTKYダイオード 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
データシート
585在庫
600取寄中
最低： 1
複数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics ESD保護ダイオード/TVSダイオード 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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5,091在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics ESD保護ダイオード/TVSダイオード 3000W Transil 18V 0.2uA 15kV 8kV Uni
データシート
2,500在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,500
SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
データシート
1,841在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics ショットキーダイオードおよび整流器 Dual 2000V Schottky 80V 45pF 0.490V Vf
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1,739在庫
最低： 1
複数： 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics TN8050H-12PI
STMicroelectronics SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor
データシート
594在庫
最低： 1
複数： 1

SCRs
STMicroelectronics ショットキーダイオードおよび整流器 Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model
データシート
72在庫
最低： 1
複数： 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics ショットキーダイオードおよび整流器 Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model
データシート
155在庫
18取寄中
最低： 1
複数： 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics バイポーラトランジスタ - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
データシート
144在庫
最低： 1
複数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics バイポーラトランジスタ - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
データシート
21在庫
最低： 1
複数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics バイポーラトランジスタ - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
データシート
27在庫
最低： 1
複数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5


STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
データシート
557在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
データシート
169在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
データシート
527在庫
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
データシート
448在庫
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
データシート
533在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4

STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
データシート
459在庫
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
データシート
328在庫
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
データシート
589在庫
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
データシート
587在庫
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
データシート
537在庫
600取寄中
最低： 1
複数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4