Power MOS 7 MOSFET

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-247
データシート
520在庫
74取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Power MOS 7 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX
データシート
在庫なし
最低： 30
複数： 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 800 V 38 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 195 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement Power MOS 7 Tube