Power MOS V MOSFET

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS5 300 V 85 mOhm TO-247
データシート
563在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 130 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Power MOS V Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264
データシート
35在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 22 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 435 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS V Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS5 200 V 38 mOhm TO-268
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 67 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Power MOS V Tube