Panjit IGBT

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Panjit IGBT 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor 900在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBT 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor 834在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube