CSD19538Q2 シリーズ MOSFET

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Texas Instruments MOSFET 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2 29,450在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET si 314在庫
最低: 1
複数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T 327在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 490
: 3,000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel