IMZA75R008M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA75R008M1HXKS
IMZA75R008M1HXKSA1

メーカ：

詳細：
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
163 A
10.6 mOhms
- 5 V, 23 V
5.6 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
517 W
Enhancement
CoolSiC
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: AT
下降時間: 16 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 30 ns
シリーズ: G2
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 50 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 22 ns
別の部品番号: IMZA75R008M1HXKSA1 SP005970686
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 750V G1 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 750VG1 MOSFET は、性能、信頼性、および堅牢性に優れています。Infineon Technologies  CoolSiC 750VG1 は、シンプルでコスト効果の高いシステム設計のための柔軟なゲート駆動機能を特長としています。このMOSFETは、最適化された効率性と電力密度を可能にします。

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