|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
- SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
¥3,161.6
-
非在庫リードタイム 22 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT018HU65G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
|
|
非在庫リードタイム 22 週間
|
|
|
¥3,161.6
|
|
|
¥2,532.7
|
|
|
¥2,377.9
|
|
|
¥2,019.2
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
60 A
|
29 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
82.5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
388 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
- SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
¥2,016.1
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT018W65G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
最低： 600
複数： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55 A
|
27 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
398 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
- SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
¥3,215.3
-
非在庫リードタイム 22 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT019W120G3-4AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
|
|
非在庫リードタイム 22 週間
|
|
|
¥3,215.3
|
|
|
¥2,679.7
|
|
|
¥2,646.5
|
|
|
¥2,322.6
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
90 A
|
26 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
4.2 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
486 W
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
- SCT020H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
¥2,913.5
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT020H120G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
|
¥2,913.5
|
|
|
¥2,333.7
|
|
|
¥2,017.7
|
|
|
¥2,016.1
|
|
|
¥1,783.8
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
- SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics
-
600:
¥2,080.9
-
非在庫リードタイム 22 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3-4
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
|
|
非在庫リードタイム 22 週間
|
|
最低： 600
複数： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
37 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
388 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
- SCT027TO65G3
- STMicroelectronics
-
1,800:
¥1,339.8
-
非在庫リードタイム 20 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT027TO65G3
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
|
|
非在庫リードタイム 20 週間
|
|
最低： 1,800
複数： 1,800
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
- SCT040W120G3
- STMicroelectronics
-
600:
¥2,042.9
-
非在庫リードタイム 32 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
|
|
非在庫リードタイム 32 週間
|
|
最低： 600
複数： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
40 A
|
54 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
- SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥914.8
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT070H120G3-7
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
223 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,728.5
-
非在庫リードタイム 22 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3-4
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
非在庫リードタイム 22 週間
|
|
|
¥1,728.5
|
|
|
¥1,031.7
|
|
|
¥936.9
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
236 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
- SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,919.7
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
|
¥1,919.7
|
|
|
¥1,562.6
|
|
|
¥1,303.5
|
|
|
¥1,083.9
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
- SCTHCT250N12G3AG
- STMicroelectronics
-
448:
¥9,029.7
-
非在庫リードタイム 20 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCTHCT250N12G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
|
|
非在庫リードタイム 20 週間
|
|
最低： 448
複数： 448
|
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
239 A
|
10.5 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.4 V
|
304 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
994 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
- SCTWA90N65G2V
- STMicroelectronics
-
600:
¥3,160
-
非在庫リードタイム 22 週間
|
Mouser 部品番号
511-SCTWA90N65G2V
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
|
|
非在庫リードタイム 22 週間
|
|
最低： 600
複数： 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
119 A
|
24 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
5 V
|
157 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
565 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
- SCT012HU90G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
¥2,938.8
-
非在庫リードタイム 18 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT012HU90G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
|
|
非在庫リードタイム 18 週間
|
|
|
¥2,938.8
|
|
|
見積り
|
|
|
見積り
|
|
最低： 600
複数： 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
STMicroelectronics SCT019H120G3AG
- SCT019H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥1,698.5
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT019H120G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
- SCT040H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥1,099.7
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT040H65G3-7
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
- SCT040W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
¥1,079.1
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT040W65G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
|
¥1,079.1
|
|
|
¥982.8
|
|
最低： 600
複数： 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
- SCT055H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1,000:
¥790
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT055H65G3-7
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
- SCT055H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,678
-
非在庫リードタイム 21 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
511-SCT055H65G3AG
新製品
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
|
|
非在庫リードタイム 21 週間
|
|
|
¥1,678
|
|
|
¥1,162.9
|
|
|
¥967
|
|
|
¥903.8
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
日本
