CoolMOS SiC MOSFET

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET HIGH POWER_NEW 1,315在庫
750取寄中
最低: 1
複数: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 288 A 7 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 370 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies SiC MOSFET HIGH POWER_NEW 3,241在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 142 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 171 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies SiC MOSFET HIGH POWER_NEW 693在庫
最低: 1
複数: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 135 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 171 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies SiC MOSFET HIGH POWER_NEW 300在庫
最低: 1
複数: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 65 A 37 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 79 nC - 55 C + 150 C 338 W Enhancement CoolMOS