Parallel I/O (x16) MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 74
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 メーカ
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数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel