AS3008316-035nX0PTBY

Avalanche Technology
793-38316035NX0PTBY
AS3008316-035nX0PTBY

メーカ：

詳細：
MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

データシート:
ECADモデル:
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Avalanche Technology
製品カテゴリー: MRAM（磁気抵抗メモリ）
配送制限
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RoHS:  
TSOP-54
Parallel
8 Mbit
512 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3008316
Tray
ブランド: Avalanche Technology
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 96
トレードネーム: STT-MRAM, MRAM
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選択した属性: 0

データシート

USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

パラレルP-SRAMメモリ

Avalanche Technology パラレル・パーシステントSRAMメモリは、1Mbit～32Mbitの密度範囲を提供する磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）です。P-SRAMメモリは、2.7V～3.6Vの電圧範囲で動作します。P-SRAMメモリデバイスは、小型フットプリント54ピンTSOP、44ピンTSOP、48ボールFBGAパッケージでご用意があります。これらのパッケージは、類似の低消費電力揮発性および非揮発性製品との互換性があります。パラレル・パーシステントSRAMメモリデバイスは、-40°C～85°Cの産業用および-40°C～105°Cの工業PLUS動作温度範囲で販売されています。

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