ISSI DRAM

結果: 1,825
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 400 MHz WFCBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLC36800
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 在庫なし
最低: 119
複数: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 800 MHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, Cu 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 在庫なし
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16800F Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 209
複数: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 242
複数: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 136
複数: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.866 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 136
複数: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.866 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 136
複数: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C