AS3032316 シリーズ MRAM（磁気抵抗メモリ）

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供給電圧 - 最大
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最高動作温度
シリーズ
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Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
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TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
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TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
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Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray