MR25H10 シリーズ MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 8
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 4,445在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 4,805在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI 982在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 335在庫
最低: 1
複数: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,140
複数: 570

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel