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2ED2182S06FXUMA1

Name: Infineon 2ED2182S06FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-2ED2182S06FXUMA1
Price: 317 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-2ED2182S06FXUMA1

メーカ番号：

2ED2182S06FXUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

ゲートドライバ LEVEL SHIFT DRIVER

データシート:

2ED2182S06FXUMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥317.6	¥318
	¥233.8	¥2,338
	¥213.3	¥5,333
	¥189.6	¥18,960
	¥178.5	¥44,625
	¥172.2	¥86,100
	¥167.5	¥167,500
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥161.2	¥403,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSO-8
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	2.5 A
供給電圧 - 最小:	10 V
供給電圧 - 最大:	20 V
上昇時間:	15 ns
下降時間:	15 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	MY
論理タイプ:	CMOS, LSTTL
最長電源切断遅延時間:	300 ns
最長電源投入遅延時間:	300 ns
水分感度:	Yes
動作供給電流:	550 uA
Pd - 電力損失:	625 mW
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	300 ns
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
別の部品番号:	2ED2182S06F SP003244532
単位重量:	233.750 mg

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2ED2182S06FXUMA1 データシート (PDF)

Models

2ED2182S06FXUMA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

小型家電ソリューション

Infineon小型家電ソリューションには、小型家電アプリケーションにフィットする数多くのデバイスとソリューションがあります。スタイルと効率性がさらに向上する傾向が高まっており、これによって設計者は数え切れないほどの型式に対応することになります。優れたエネルギー効率、モダンな外観、きれいな拭き取り、密閉された表面は、設計エンジニアが新しい設計を考慮してそれに組み込まなければならないいくつかの特性にすぎません。Infineonは、誘導加熱、ならびにエネルギー効率に優れた統合パワーデバイスが搭載されたモータ制御ソリューションを必要とする家電など、複数の主要な領域を対象としたソリューションを提供しています。

2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

Infineon 2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバには、統合ブートストラップダイオードが搭載されており、DSO-8またはDSO-14パッケージに収められています。2ED210x小電流0.7Aドライバは、シリコンオンインシュレーター（SOI）テクノロジーに基づいています。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。高度プロセスによって、モノリシック高電圧および低電圧回路の構築が可能になり、テクノロジーが強化されたメリットが得られます。

シリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバIC

Infineon シリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバICは、IGBTおよびMOSFET用のレベルシフト高電圧ゲートドライバーICです。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは、組み込まれている二酸化ケイ素によって絶縁されており、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが不要になります。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。この先進的なプロセスにより、技術的に強化された利点を実現するとともに、高電圧および低電圧回路をモノリシック構造にすることが可能になります。

2ED218x大電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

Infineon 2ED218x大電流650V、2.5A、ハーフブリッジSOIゲートドライバには、統合ブートストラップダイオードが搭載されており、DSO-8またはDSO-14パッケージに収められています。2ED218xには、大電流とハイスピードが組み合わされており、MOSFETおよびIGBTを一般的な2.5Aシンク/ソース電流で駆動できます。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。