ams OSRAM AS5070軸上磁気角度位置センサ

ams OSRAM AS5070軸磁気角度位置センサは、高解像度、ホールベースの回転磁気位置センサで、CMOS技術が活用されており、正確な絶対角度測定を実現します。AS5070は、アナログ出力インターフェイス(AS5070A)またはデジタル出力インターフェイス(AS5070B)でご用意があります。AS5070Bは、PWMまたは送信準拠の出力インターフェイスとしてプログラミングできます。これらのセンサは、完全ターン回転での磁束密度(Bz)の直交コンポーネントを測定し、14ビット・センサ・アレイとアナログ・フロントエンド(AFE)に基づいた堅牢なアーキテクチャが活用されている外部浮遊磁界を補償します。サブレンジをプログラミングして、最適なアプリケーション分解能を達成できます。

パッケージの中心で回転するシンプルな2極磁石は、角度の測定に必要です。磁石は、デバイスの上または下に配置できます。絶対角度測定によって、磁石の角度位置の即時表示が実現しています。AS5070は5Vの供給電圧で動作します。また供給と出力ピンは、最高+20Vまでの過電圧から、供給ピンは最大-20Vの逆極性から保護されています。

特徴

  • CMOS技術を使用したホールベースの回転磁気位置センサ
  • 高精度で小さい角度逸脱を解決
  • 最低90°アークでの12ビット分解能
  • 低出力ノイズ、低固有のINL
  • 浮遊磁場耐性
  • プログラマブル出力
  • CORDブロック(座標-回転デジタルコンピュータ)
  • 高い耐久性と低システムコスト
  • 組み込み線形化アルゴリズム
  • 3x出力インターフェイス
    • アナログレシオメトリック(AS5070A)
    • デジタルPWM(AS5070B)
    • 送信(AS5070B)

アプリケーション

  • 回転ボタン角度センサ
  • 液体レベルの測定システム
  • 非接触ポテンショメータ

仕様

  • 動作
    • 4.5V~5.5Vの電源電圧範囲
    • 安定化電圧範囲:3.3V~3.6V
    • 供給電流範囲
      • AS5070A向け4mA~12mA
      • AS5070Bの場合に4mA~10mA
    • 2.25Vで2.5mA~10mAのスタートアップ供給電流
    • 起動時間: 10ms
  • 電気
    • 14ビットコア解像度
    • 12ビット・アナログ(AS5070A)およびデジタル(AS5070B)解像度
    • ±0.5°~±0.9積分非直線性(最適)範囲
    • ±1.4°積分非直線性
    • 125µsの標準サンプリング時間
  • 磁石
    • 直交磁石の電界強度
      • 30mT~70mTの範囲
      • 拡張モードで10mT~90mT
    • 0.5mmの典型的な変位半径
  • 電源管理、電源モニタ、タイミング
    • 低電圧閾値
      • 3.5VDD~4.5VDDの上部範囲
      • 3.0VDD~4.0VDD低範囲
    • 300mV~900mV低電圧ヒステリシス、標準500mV
    • 10µs~250µsの低電圧検出/リカバリ時間範囲、標準50µs
    • 過電圧閾値
      • 6.0V~7.0Vのアッパー範囲
      • 5.5V~6.5Vの低範囲
    • 300V~900V過電圧ヒステリシス範囲、標準500V
    • 500µs~2000µsの過電圧検出/リカバリ時間範囲
    • 12msの最大ウォッチドッグエラー検出時間

AS5070Aのブロック図

ブロック図 - ams OSRAM AS5070軸上磁気角度位置センサ

AS5070Bのブロック図

ブロック図 - ams OSRAM AS5070軸上磁気角度位置センサ
公開: 2022-02-24 | 更新済み: 2022-03-14