Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ車載用エンハンスメントモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLW車載用エンハンスメントモードMOSFETは、低オン抵抗（標準1.1mΩ、最大1.7MΩ）および優れたスイッチング性能が特徴のNチャンネルMOSFETです。DMTH8001STLWには、80Vドレイン-ソース電圧、1µAゼロゲート電圧ドレイン電流、±100nAゲート-ソース間漏れがあります。このデバイスは、AEC-Q101認定済みで、PPAPによってサポートされ、車載アプリケーション用に最適化されています。
Diodes Incorporated DMTH8001STLW拡張モードMOSFETは、熱効率に優れたコンパクトなPowerDI®1012-8（TOLL）パッケージで販売されています。最大300Aの電流に対応するように設計されたTOLLパッケージは、業界標準のTO263と比較してPCB領域が20%削減されています。2.4Mmのオフボード・プロファイルが備わったTOLLパッケージは、コンパクトで高密度の設計に最適です。TOLLの低パッケージインダクタンスによってEMI性能が向上しており、錫メッキが施された溝付きリードによって、自動光学検査（AOI）の必要性を確実に満たしています。
特徴
- 最高定格温度175°C（周囲温度が高い環境に最適）
- さらに信頼性が高く堅牢な最終アプリケーションを保証する、本環境での100%非クランプ型誘導性負荷スイッチング（UIS）試験
- 高変換率
- 低RDS(ON)がON状態での損失を最小化
- 光学検査の改善を目的としたウェッタブルフランク
- 無鉛仕上げ、RoHS準拠
- ハロゲンとアンチモンフリー「グリーン」デバイス
- DMTH8001STLWQは、特定の変更制御を必要とする車載アプリケーションに適しています。このパーツは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAP対応で、IATF 16949認証施設で製造されています。
アプリケーション
- モーター制御
- DC/DCコンバータ
- 電源管理
仕様
- 80Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）
- 1.7mΩドレイン-ソース間オン抵抗（RDS(ON)）
- 1µAゼロゲート電圧ドレイン電流（IDSS）
- ±100nAゲート-ソース間漏れ（IGSS）
- 2V～4Vゲート閾値電圧（VGS(TH)）
- ±20Vゲート-ソース間電圧（VGSS）
- 連続ドレイン電流（ID）
- 270A（TC= +25°C）
- 150A（TC= +100°C）
- 94ns逆回復時間（tRR）
- 逆回復電荷（QRR）：291nC
- 動作接合部温度範囲 (TJ)：-55°C～+175°C
- ケース: POWERDI1012-8（TOLL）
- ケース素材：成形プラスチック、「グリーン」成形UL難燃性等級定格：94V-0
- 湿度レベル: J-STD-020に準じたレベル1
- 端子 - 銅リードフレームの上にマットスズ焼きなまし
- MIL-STD-202、Method 208に準じたはんだ付け
- 重量: 388g (概算)
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内部回路図
パッケージの外形
公開: 2022-03-22
| 更新済み: 2022-05-11