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Diodes Incorporated DXTN80x NPNバイポーラトランジスタ

Diodes Incorporated DXTN80x NPNバイポーラトランジスタは、小型フォームファクタで熱効率に優れたPowerDI® 3333-8パッケージを採用しており、最終製品の高密度設計を可能にします。さらに、30V超、60V、または100Vのコレクタ・エミッタ間電圧、および8V超のエミッタ・ベース間電圧を備えています。DXTN80xは、+175°Cの温度定格が備わった高温環境に最適です。Diodes Inc. DXTN80x NPNバイポーラトランジスタは、モータ、ソレノイド、リレー、アクチュエータのドライバ制御に最適です。

特徴

  • BVCEO >30V、60V、または100V
  • BVEBO >8V
  • 連続（コレクタ）電流 IC：5.5A～10A
  • ピークコレクタ電流 ICM：10A～20A
  • 超低飽和電圧 VCE(sat)：<30mv at=""><40mv at=""><45mv at="">
  • 大電流RCE(sat) = 12mΩ、16mΩ、または23mΩ（代表値）
  • 小型フォームファクタで熱効率に優れたパッケージによって、最終製品の高密度設計が可能
  • 光学検査の改善を目的とした可湿性側面
  • +175°Cに定格－高温環境に最適
  • 無鉛仕上げ、RoHS準拠
  • ハロゲンとアンチモンフリー「グリーン」デバイス

アプリケーション

  • MOSFETおよびIGBTゲートドライバ
  • 負荷スイッチ
  • 低電圧安定化
  • DC/DCコンバータ
  • モータ、ソレノイド、リレー、アクチュエータドライバ制御

仕様

  • PowerDI 3333-8パッケージ
  • 成形プラスチックのパッケージ材料、「グリーン」成形コンパウンド、UL難燃性等級94 V-0
  • J-STD-020に準じたレベル1の水分感度
  • 仕上げ－マット錫端子、MIL-STD-202、Method 208に準じたはんだ付けが可能

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ロケーション回路 - Diodes Incorporated DXTN80x NPNバイポーラトランジスタ
公開: 2025-09-09 | 更新済み: 2026-02-10