Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高絶縁スイッチ

Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高絶縁スイッチは、小電流消費、低挿入損失、最高6GHzまでの低高調波生成が特徴です。このスイッチは、LTEおよび5G帰還受信アプリケーション用に特別に設計されており、MIPI RFFEコントローラから制御されます。BGS15MU14高絶縁スイッチには、固有のより高いESD堅牢性をはじめとする、従来のCMOSの経済性と集積性が備わっているGaAの性能があります。このスイッチは、-0.5V～2.2V供給電圧範囲、100μA供給電流、20dBm入力電力で動作します。BGS15MU14高絶縁スイッチの保存温度範囲は-55°C～150°C、機能する接合部温度は125°Cです。