Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V-100V車載用MOSFET

Infineon Technologies  OptiMOS™ 5 75V~100V車載用MOSFETは、 高性能アプリケーション向けに設計されており、AEC-Q101規格を超える拡張認定を特徴としています。このNチャネル・エンハンスメント・モード・デバイスは、リニアFET(LINFET)と低RDS(on)FET(ONFET)の特性を1つのパッケージに統合し、堅牢な設計と先進技術を組み合わせています。このデュアル・ゲート構成は、各MOSFETに専用のゲート・ピンを提供し、回路設計の柔軟性と制御性を高めます。リニアFETは、改善された安全動作領域(SOA)と優れた並列機能を誇り、さまざまな条件下で信頼性の高いリニア動作を保証します。Infineon Technologies  OptiMOS™ 5 75V~100V MOSFET は、-55°C~+175°C の広い温度範囲で動作し、PG-HSOF-8-2パッケージで提供されます。 

特徴

  • オプティモス車載用パワーMOSFET
  • AEC-Q101以上への資格延長
  • Nチャンネル、強化モード、標準レベル
  • 優れた電気試験実施
  • 堅牢な設計
  • リニアFET (LINFET) と低RDS(on) FET (ONFET) を1パッケージ化
  • 両MOSFET専用ゲート・ピン(デュアル・ゲート)
  • リニア動作のためにSOAと並列特性を強化したリニアFET
  • 最大動作温度:+175°C
  • RoHS準拠
  • 100%アバランシェ試験済み
  • 水分感度レベル(MSL)1最大+260°Cピークリフロー:+260°C

アプリケーション

  • 配電とバッテリー管理(電子ヒューズと切断スイッチ)
  • 突入電流制限(コンデンサ充電、モーターサージ電流)
  • 電圧過渡とEMIを最小限に抑える低速スイッチング(電気触媒ヒーター)
  • ドレイン-ソース間電圧クランピング(誘導エネルギーの消散、過電圧保護)

仕様

  • 最大ドレイン・ソース間電圧:80V
  • 最大ドレイン・ソース間オン抵抗:1.15mΩ
  • 最大ドレイン電流:410A
  • シングルパルスアバランシェ
    • 最大エネルギー:820mJ
    • 最大電流: 300A
  • 最大ゲート・ソース間電圧:±20
  • 最大電力損失:375W
  • 動作温度範囲:-55°C~+175°C
  • 熱抵抗
    • 0.40K/W最大接合部対ケース
    • 標準ジャンクション対周囲温度:14.8K/W
  • パッケージ PG-HSOF-8-2

アプリケーション回路

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V-100V車載用MOSFET
公開: 2024-11-05 | 更新済み: 2024-11-12