Infineon Technologies TLF11251LDゲートドライバとMOSFET
Infineon Technologies TLF11259LDゲートドライバとMOSFETは、集積ドライバ、高圧側Pチャンネル搭載ハーフブリッジ、低圧側NチャンネルMOSFETで、単一パッケージに収められています。集積レベルシフティング段によって、電圧レベルのゲートドライバを供給するために入力ロジック信号の変換が可能になります。このレベルシフタとゲートドライバは、MCUの組み込みコア電圧レギュレータとのインターフェイス接続を簡素化するデッドタイム生成を実現しています。TLF11251LDは、2.5AでOPTIREGTM PMIC TLF35584/85の使用を可能にできます。これには、ハイエンドの第2世代TriCorTM AURITM 32ビットMCU TC38x/TC39xが搭載されています。デバイスは、コア鬱側MOSFETおよび低圧側MOSFETでの過電流に対する保護機能、ならびに過熱事象に対する保護機能が特徴です。
TLF11251LDは、最適化された制御と高い効率性が実現する集積デッドタイムロジックを活用した単一の制御入力になっています。このハーフブリッジにはドライバとレベルシフタ・デバイスが集積されており、-40°C～150°Cの温度範囲および3.5V～7Vの電圧範囲で動作します。TLF11251LDは、PG-TSON-10パッケージに収められており、AECの認定を取得しています。このハーフブリッジには、ドライバとレベルシフタが集積されており、車載アプリケーションでの使用に最適です。
特徴
- 2.5A電流能力の集積PMOSおよびNMOS相補出力ブリッジ
- 集積ゲート・ドライバ
- 集積デッドタイムロジックを活用した単一の制御入力によって、最適化された制御と高い効率性が実現
- 出力電流のセンシングと制限
- 過熱保護
- 低零入力電流
- 外部デッドタイム調整不要
- 環境配慮型製品（RoHS準拠）
仕様
- -0.3V～7V供給電圧範囲
- -2.5A～2.5A連続ドレイン電流範囲
- -4.4A～4.4Aパルス・ドレイン電流範囲
- 接合部温度範囲: -40°C～150°C
- ストレージ温度範囲: -55°C～150°C
アプリケーション
- 機能安全関連アプリケーション:
- パワートレイン（例: EMS）
- 電気駆動トレイン（インバータなど）
- 安全性（例 センサフージョン）
- シャーシ（例 ドメイン制御）
- ボディ（例 ゲートウェイ）
- OPTIREG™ PMIC TLF35584/85が搭載されたハイエンドの第2世代TriCore™ AURIX 32ビット対応マイクロコントローラ（TC38x/TC39x）の効率的なコア電源が実現
ブロック図
アプリケーションブロック図
その他の資料
アプリケーションのパンフレット
公開: 2020-10-20
| 更新済み: 2024-12-06