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IXYS Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBTは、独自のXPT薄ウェハー技術および最先端の第4世代 (GenX4™) Trench IGBTプロセスを使用して開発されました。これらの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタは、熱抵抗の削減、低エネルギー損失、高速スイッチング、低テール電流、高電流密度が特長です。デバイスには、スイッチング時および短絡状態の下での比類のない耐久性があります。

これらのスルーホールIGBTは、最大1200Vの逆バイアス安全動作領域（RBSOA：Reverse Bias Safe Operating Area）も備えているため、スナバレスのハードスイッチングアプリケーションに最適です。超低Vsat IGBTは、最大5kHzのスイッチングが可能です。IXYS XPT第4世代Trench IGBTは、正コレクタ・エミッタ電圧温度係数に対応しています。この特長によって複数デバイスを並列接続して使用可能になり、高電流要件および低ゲート電荷に適合できるため、ゲート駆動要件の削減とスイッチング損失の削減につながります。

主なアプリケーションは、バッテリチャージャ、照明器具のバラスト、モータドライブ、パワーインバータ、力率補正 (PFC) 回路、スイッチモード電源 (SMPS)、無停電電源 (UPS)、溶接機などです。

特徴

  • 独自のXPT薄ウェハー技術および最先端の第4世代 (GenX4™) Trench IGBTプロセスを使用して開発
  • 低オン状態電圧 - VCE(sat)
  • 5kHz最大スイッチング
  • VCE(sat) の正熱係数
  • 高速スイッチング (最大60kHz) 向けに最適化済
  • 短絡機能（10µs）
  • スクエアRBSOA
  • 超高速逆並列ダイオード（Sonic-FRD™）
  • ハードスイッチング機能
  • 高電力密度
  • ダイオード順方向電圧VF の温度安定性
  • 低ゲートドライブ要件
  • 国際規格パッケージ

アプリケーション

  • バッテリ充電器
  • ランプバラスト
  • モータドライブ
  • パワーインバータ
  • PFC回路
  • SMPS
  • UPS
  • 溶接機器

仕様

  • 共通
    • 1,200V VCES
    • 20A IC110
  • IXYA20N120A4HV
    • ≤1.9V VCE(sat)
    • 160ns tfi(typ)
  • IXYA20N120B4HV
    • ≤2.1V VCE(sat)
    • 90ns tfi(typ)
  • IXYA20N120C4HV
    • ≤2.5V VCE(sat)
    • 58ns tfi(typ)

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部品番号 データシート 説明
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 データシート IGBT 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
IXYH100N65C5 IXYH100N65C5 データシート IGBT 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 データシート IGBT 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
IXYH85N120A4 IXYH85N120A4 データシート IGBT TO247 1200V 85A XPT
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 データシート IGBT Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
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IXYK110N120A4 IXYK110N120A4 データシート IGBT TO264 1200V 110A GENX4
公開: 2020-02-26 | 更新済み: 2024-05-23