onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET
Onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFETは、フライバックコンバータの一次スイッチ向けに最適化されており、さらなる低スイッチング損失とケース温度が可能になります。このMOSFETには、ESD機能を向上させる内部Zenerダイオードが組み込まれています。Onsemi NTD360N80S3Z MOSFETは、800Vドレイン－ソース電圧(VDSS) 、360mΩ最高ドレイン－ソース抵抗RDS (on) 、13A最大ドレイン電流(ID) が特徴です。代表的なアプリケーションには、アダプタ/充電器、LED照明、AUX電力、オーディオ、工業電源があります。
特徴
- 低スイッチング損失
- 高効率
- EMI性能が良い
- 内部Zenerダイオードを用いた改善されたESD機能
- 360mΩ最高RDS (on)
- 800Vドレイン－ソース電圧(VDSS)
- 13mAドレイン電流(ID)
- 25.3nC 標準超低 ゲート電荷 (Qg)
- 出力容量(Eoss) で2.72μJ @ 400V低貯蔵エネルギー
アプリケーション
- アダプタ/充電器
- LED照明
- 補助電源
- オーディオ
- 産業用電源
その他の資料
公開: 2020-09-14
| 更新済み: 2024-06-12