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onsemi UF3N120007K4S 1,200V JFET Nチャンネルトランジスタ

onsemi UF3N120007K4S 1,200V EliteSic JFET Nチャンネルトランジスタは、1,200V、7.1mΩ高性能Gen 3ノーマルオンSiC JFETトランジスタです。このデバイスは、TO247-4パッケージに収められた超低オン抵抗 [RDS (on)] が特徴で、ソリッドステート回路ブレーカとリレーアプリケーションの課題の多い熱制約への対処に最適です。onsemi UF3N120007K4SJFETは、回路保護アプリケーションに必要な高エネルギースイッチングの能力がある堅牢なテクノロジーです。

特徴

  • 1桁のオン抵抗 [RDS (on)]
  • +175°C 最大動作温度
  • 大パルス電流能力
  • 優れたデバイス堅牢性
  • 優れた熱抵抗を目的に取り付けられた銀焼結ダイ
  • 無鉛、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • ソリッドステート/半導体回路ブレーカ
  • ソリッドステート/半導体リレー
  • バッテリ切断
  • サージ保護
  • 突入電流の制御
  • 誘導加熱

仕様

  • ドレイン－ソース電圧 (VDS)：1,200V
  • TC < +112°cでの連続ドレイン電流="">D)：120A
  • TC < +25°cでのパルスドレイン電流="">DM)：550A
  • TC < +25°cでの電力損失="">TOT)：789W
  • VDS = 800V、ID = 100A、VGS = -18V ~ 0Vで全ゲート電荷 (QG)：830nC
  • ドレイン－ソース間オン抵抗 [RDS (ON)]
    • VGS = 2V、ID = 100A、TJ = +25°Cで7.1mΩ (標準）
    • VGS = 0V、ID = 100A、TJ = +25°Cで8.6mΩ (標準）
    • VGS = 2V、ID = 100A、TJ = +175°Cで15.5mΩ (標準）
    • VGS = 0V、ID = 100A、TJ = +175°Cで17.8mΩ (標準）
  • 最高接合部温度 (TJ,max）：+175°C

回路図

回路図 - onsemi UF3N120007K4S 1,200V JFET Nチャンネルトランジスタ

パッケージ図

チャート - onsemi UF3N120007K4S 1,200V JFET Nチャンネルトランジスタ

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公開: 2025-07-30 | 更新済み: 2025-08-05