ROHM Semiconductor BV1HBx 車載用ハイサイドスイッチ
ROHM Semiconductor BV1HBx 車載用ハイサイドスイッチは、過電流負荷保護機能およびDual TSD(2種類の温度保護)を内蔵しています。これによって内部の熱過渡現象が制限され、ICの機械的ストレスが軽減されます。BV1HBxスイッチは、4Vと動作電圧が低く(クランク)、誘導負荷をオフにしながら磁気エネルギーを消散させるスマートアクティブクランプ回路を備えています。これらのスイッチは、電流センス機能と診断出力機能も内蔵しています。加えて、リアルタイム負荷電流情報、ON/OFF状態の両方で天絡検出や短絡検出機能を内蔵しています。特殊インターフェイスやレベルシフタなしで直接マイクロコントローラを接続できる3Vおよび5V CMOS互換入力端子があります。BV1HBx ハイサイドスイッチは、温度範囲-40°C~150°C内で動作します。代表的な用途は、抵抗性、誘導性、容量性負荷用ドライバ、MOSFET、リレー、ヒューズ交換、インテリジェントパワーデバイスなどです。特徴
- AEC-Q100適合
- 短絡負荷保護
- 過電流制限
- アクティブクランプと過電圧保護
- 2種類の温度保護を内蔵
- 低電圧時出力OFF機能内蔵
- 電流センス回路内蔵
- アース保護の喪失
- 負荷オープン検出機能内蔵、バッテリー逆接続保護内蔵
仕様
- 公称電源電圧 6V~28V
- 低い動作電圧 (クランキング) 4V
- 過電圧保護 41V
- スリープ電流 0.5µA
- オン抵抗:
- 9mΩ (BV1HB008EFJ-C)
- 12mΩ (BV1HB012EFJ-C)
- 20mΩ (BV1HB020EFJ-C)
- 40mΩ (BV1HB040EFJ-C)
- 90mΩ (BV1HB090EFJ-C)
- 180mΩ (BV1HB180EFJ-C)
- 過電流制限
- 66A (BV1HB008EFJ-C)
- 56A (BV1HB012EFJ-C)
- 51A (BV1HB020EFJ-C)
- 30A (BV1HB040EFJ-C)
- 15A (BV1HB090EFJ-C)
- 7.5A (BV1HB180EFJ-C)
- 動作電流:
- 3.5mA (BV1HB008EFJ-C、BV1HB012EFJ-C)
- 3mA (BV1HB020EFJ-C、BV1HB040EFJ-C)
- 2.7mA (BV1HB090EFJ-C)
- 2.4mA (BV1HB180EFJ-C)
- ジャンクション温度範囲:-40°C~+150°C
アプリケーション
- 抵抗性、誘導性、容量性負荷用ドライバ
- MOSFET、リレー、ヒューズ交換
- 12V車載用インテリジェントパワーデバイス
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| 部品番号 | データシート | オン時間 - 最大 | オフ時間 - 最大 | オン抵抗 - 最大 | 最低動作温度 | 最高動作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BV1HB008EFJ-CE2 | ![]() |
150 us | 100 us | 22 mOhms | - 40 C | + 150 C |
| BV1HB012EFJ-CE2 | ![]() |
150 us | 100 us | 35 mOhms | - 40 C | + 150 C |
| BV1HB020EFJ-CE2 | ![]() |
150 us | 100 us | 44 mOhms | - 40 C | + 150 C |
| BV1HB090EFJ-CE2 | ![]() |
100 us | 100 us | 180 mOhms | - 40 C | + 150 C |
| BV1HB040EFJ-CE2 | ![]() |
100 us | 100 us | 90 mOhms | - 40 C | + 150 C |
| BV1HB180EFJ-CE2 | ![]() |
100 us | 100 us | 360 mOhms | - 40 C | + 150 C |
公開: 2025-07-22
| 更新済み: 2025-08-19

