ROHM Semiconductor BV1HBx 車載用ハイサイドスイッチ

ROHM Semiconductor BV1HBx 車載用ハイサイドスイッチは、過電流負荷保護機能およびDual TSD(2種類の温度保護)を内蔵しています。これによって内部の熱過渡現象が制限され、ICの機械的ストレスが軽減されます。BV1HBxスイッチは、4Vと動作電圧が低く(クランク)、誘導負荷をオフにしながら磁気エネルギーを消散させるスマートアクティブクランプ回路を備えています。これらのスイッチは、電流センス機能と診断出力機能も内蔵しています。加えて、リアルタイム負荷電流情報、ON/OFF状態の両方で天絡検出や短絡検出機能を内蔵しています。特殊インターフェイスやレベルシフタなしで直接マイクロコントローラを接続できる3Vおよび5V CMOS互換入力端子があります。BV1HBx ハイサイドスイッチは、温度範囲-40°C~150°C内で動作します。代表的な用途は、抵抗性、誘導性、容量性負荷用ドライバ、MOSFET、リレー、ヒューズ交換、インテリジェントパワーデバイスなどです。

特徴

  • AEC-Q100適合
  • 短絡負荷保護
  • 過電流制限
  • アクティブクランプと過電圧保護
  • 2種類の温度保護を内蔵
  • 低電圧時出力OFF機能内蔵
  • 電流センス回路内蔵
  • アース保護の喪失
  • 負荷オープン検出機能内蔵、バッテリー逆接続保護内蔵

仕様

  • 公称電源電圧 6V~28V
  • 低い動作電圧 (クランキング) 4V
  • 過電圧保護 41V
  • スリープ電流 0.5µA
  • オン抵抗:
    • 9mΩ (BV1HB008EFJ-C)
    • 12mΩ (BV1HB012EFJ-C)
    • 20mΩ (BV1HB020EFJ-C)
    • 40mΩ (BV1HB040EFJ-C)
    • 90mΩ (BV1HB090EFJ-C)
    • 180mΩ (BV1HB180EFJ-C)
  • 過電流制限
    • 66A (BV1HB008EFJ-C)
    • 56A (BV1HB012EFJ-C)
    • 51A (BV1HB020EFJ-C)
    • 30A (BV1HB040EFJ-C)
    • 15A (BV1HB090EFJ-C)
    • 7.5A (BV1HB180EFJ-C)
  • 動作電流:
    • 3.5mA (BV1HB008EFJ-C、BV1HB012EFJ-C)
    • 3mA (BV1HB020EFJ-C、BV1HB040EFJ-C)
    • 2.7mA (BV1HB090EFJ-C)
    • 2.4mA (BV1HB180EFJ-C)
  • ジャンクション温度範囲:-40°C~+150°C

アプリケーション

  • 抵抗性、誘導性、容量性負荷用ドライバ
  • MOSFET、リレー、ヒューズ交換
  • 12V車載用インテリジェントパワーデバイス
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部品番号 データシート オン時間 - 最大 オフ時間 - 最大 オン抵抗 - 最大 最低動作温度 最高動作温度
BV1HB008EFJ-CE2 BV1HB008EFJ-CE2 データシート 150 us 100 us 22 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB012EFJ-CE2 BV1HB012EFJ-CE2 データシート 150 us 100 us 35 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB020EFJ-CE2 BV1HB020EFJ-CE2 データシート 150 us 100 us 44 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB090EFJ-CE2 BV1HB090EFJ-CE2 データシート 100 us 100 us 180 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB040EFJ-CE2 BV1HB040EFJ-CE2 データシート 100 us 100 us 90 mOhms - 40 C + 150 C
BV1HB180EFJ-CE2 BV1HB180EFJ-CE2 データシート 100 us 100 us 360 mOhms - 40 C + 150 C
公開: 2025-07-22 | 更新済み: 2025-08-19