ROHM Semiconductor R6049YN NチャンネルパワーMOSFET

ROHM Semiconductor R6049YN NチャンネルパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに高速スイッチングと低いオン抵抗を実現します。-55 ° C~+150 ° Cの温度範囲で動作するこれらのシングルチャンネル拡張モードデバイスは、600Vドレイン・ソース破壊電圧、± 22Aまたは± 49A連続ドレイン電流、65nC総ゲート電荷を備えています。ROHM R6049YN NチャンネルパワーMOSFETは、TO-220AB-3、TO-220FM-3、TO-247G-3パッケージオプションでご用意があります。

特徴

  • オン抵抗が低い
  • 高速スイッチング
  • シンプルなドライブ回路
  • Si技術
  • 拡張チャンネルモード
  • スルーホール取付
  • ハロゲンフリーモールドコンパウンド
  • メッキ処理により鉛フリー対応完了、RoHS指令適合

仕様

  • ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧 600V
  • 連続ドレイン電流 ±22Aまたは±49A
  • ±147Aパルス・ドレイン電流
  • 82mΩオンドレイン・ソース間抵抗
  • ±30Vゲート・ソース間電圧
  • 4V~6Vゲート・ソース間閾値電圧範囲
  • 最大100μAゼロゲート電圧ドレイン電流
  • 最大±100nAゲート・ソース間リーク電流
  • 最大49Aソース電流
  • 最大1.5Vソース・ドレイン間電圧
  • 1.0Ω標準ゲート抵抗
  • 6.5μC標準逆回復電荷
  • ピーク逆回復電流:34A(標準)
  • 標準ゲート電荷
    • 合計65nC
    • ソース 21nC
    • ドレイン 30nC
  • ゲートプラトー電圧 標準7V
  • 電力損失:90Wまたは448W
  • 標準容量
    • 入力 2940pF
    • 出力 100pF
    • 効果的な出力
      • 100pF(エネルギー関連)
      • 650pF(時間関連)
  • シングル・パルス・アバランシェ
    • 電流 2.8A
    • エネルギー 208mJ
  • 標準時間
    • 38nsターンオン遅延
    • 33ns立ち上がり
    • 91nsターンオフ遅延
    • 立ち下がり 19ns
    • 逆回復 380ns
  • 動作温度 -55°C~+150°C
  • パッケージ TO-220AB-3、TO-220FM-3、TO-247G-3

データシート

内部回路

ROHM Semiconductor R6049YN NチャンネルパワーMOSFET
公開: 2023-09-12 | 更新済み: 2023-10-04