ROHM Semiconductor R6049YN NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor R6049YN NチャンネルパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに高速スイッチングと低いオン抵抗を実現します。-55 ° C~+150 ° Cの温度範囲で動作するこれらのシングルチャンネル拡張モードデバイスは、600Vドレイン・ソース破壊電圧、± 22Aまたは± 49A連続ドレイン電流、65nC総ゲート電荷を備えています。ROHM R6049YN NチャンネルパワーMOSFETは、TO-220AB-3、TO-220FM-3、TO-247G-3パッケージオプションでご用意があります。特徴
- オン抵抗が低い
- 高速スイッチング
- シンプルなドライブ回路
- Si技術
- 拡張チャンネルモード
- スルーホール取付
- ハロゲンフリーモールドコンパウンド
- メッキ処理により鉛フリー対応完了、RoHS指令適合
仕様
- ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧 600V
- 連続ドレイン電流 ±22Aまたは±49A
- ±147Aパルス・ドレイン電流
- 82mΩオンドレイン・ソース間抵抗
- ±30Vゲート・ソース間電圧
- 4V~6Vゲート・ソース間閾値電圧範囲
- 最大100μAゼロゲート電圧ドレイン電流
- 最大±100nAゲート・ソース間リーク電流
- 最大49Aソース電流
- 最大1.5Vソース・ドレイン間電圧
- 1.0Ω標準ゲート抵抗
- 6.5μC標準逆回復電荷
- ピーク逆回復電流:34A(標準)
- 標準ゲート電荷
- 合計65nC
- ソース 21nC
- ドレイン 30nC
- ゲートプラトー電圧 標準7V
- 電力損失:90Wまたは448W
- 標準容量
- 入力 2940pF
- 出力 100pF
- 効果的な出力
- 100pF(エネルギー関連)
- 650pF(時間関連)
- シングル・パルス・アバランシェ
- 電流 2.8A
- エネルギー 208mJ
- 標準時間
- 38nsターンオン遅延
- 33ns立ち上がり
- 91nsターンオフ遅延
- 立ち下がり 19ns
- 逆回復 380ns
- 動作温度 -55°C~+150°C
- パッケージ TO-220AB-3、TO-220FM-3、TO-247G-3
内部回路
公開: 2023-09-12
| 更新済み: 2023-10-04
