ROHM Semiconductor R8019KNXC7G N-Ch 800V 19AパワーMOSFET

ROHM Semiconductor R8019KNXC7G N-Ch 800V 19AパワーMOSFETは、低on抵抗デバイスで、高速スイッチングが備わっています。このパワーMOSFETは、0.265Ω R_{DS (on)}（最高）、83W電力損失、-55°C～150°C動作温度範囲が特徴です。R8019KNXC7G Nch 800V 19Aは、無鉛メッキが施されており、RoHSに準拠しています。このパワーMOSFETには、使用が簡単な並列使用が備わっており、スイッチングアプリケーションでの使用に最適です。