ROHM Semiconductor RY7P250BMパワーMOSFET

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)RY7P250BMパワーMOSFETは、1.86mΩ（最大）の低オン抵抗で設計され、DFN8080ハイパワーパッケージに搭載されています。このパワーMOSFETの特徴は、100Vドレイン・ソース電圧(V_DSS)、±300Aドレイン電流(I_D)、340W電力損失(P_D)です。RY7P250BM MOSFETは広い安全動作領域（SOA）を備えており、より高い電圧や電流に対して損傷なく耐えることができ、堅牢性と信頼性を高めます。ROHM RY7P250BM MOSFETは、ホットスワップコントローラ（HSC）アプリケーションに適しています。