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ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1トランジェントボルテージサプレッサ

ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1過渡電圧サプレッサは、信頼性の高いTVSダイオードです。これらの電圧サプレッサは、600Wピークパルス電力および150°Cの接合部温度が特徴です。VSxUA1LBTBR1過渡電圧サプレッサには、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造があります。これらのTVSダイオードは、小型パワーモールドタイプになっており、DO-214AA（SMB）パッケージに収められています。これらの過渡電圧サプレッサは、サージ保護アプリケーションに最適です。

特徴

  • シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
  • 信頼性が高い
  • ピークパルス電力: 600W
  • 小型モールドタイプ

アプリケーション

  • サージ保護
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部品番号 データシート 動作電圧 制限電圧 破壊電圧 Ipp - ピークパルス電流
VS10VUA1LBTBR1 VS10VUA1LBTBR1 データシート 10 V 17 V 11.1 V 35.3 A
VS11VUA1LBTBR1 VS11VUA1LBTBR1 データシート 11 V 18.2 V 12.2 V 33 A
VS12VUA1LBTBR1 VS12VUA1LBTBR1 データシート 12 V 19.9 V 13.3 V 30.2 A
VS14VUA1LBTBR1 VS14VUA1LBTBR1 データシート 14 V 23.2 V 15.6 V 25.9 A
VS15VUA1LBTBR1 VS15VUA1LBTBR1 データシート 15 V 24.4 V 16.7 V 24.6 A
VS16VUA1LBTBR1 VS16VUA1LBTBR1 データシート 16 V 26 V 17.8 V 23.1 A
VS17VUA1LBTBR1 VS17VUA1LBTBR1 データシート 17 V 27.6 V 18.9 V 21.7 A
VS18VUA1LBTBR1 VS18VUA1LBTBR1 データシート 18 V 29.2 V 20 V 20.5 A
VS20VUA1LBTBR1 VS20VUA1LBTBR1 データシート 20 V 32.4 V 22.2 V 18.5 A
VS22VUA1LBTBR1 VS22VUA1LBTBR1 データシート 22 V 35.5 V 24.4 V 16.9 A
公開: 2024-05-24 | 更新済み: 2025-06-17