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Texas Instruments TPSI2240-Q1 強化ソリッドステートリレー

Texas Instruments TPSI2240-Q1強化ソリッドステートリレーは、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに開発されています。TPSI2240-Q1は、高信頼性容量性強化絶縁技術と内蔵の双方向MOSFETを組み合わせることにより、2次側電源を必要としない統合されたソリューションを形成しています。

TPSI2240-Q1の1次側はわずか5mAの入力電流で電力供給されており、VDD電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフENピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスのVDDピンを4.5V～20Vのシステム電源に接続し、デバイスのENピンを2.1V～20VのロジックHIのGPIO出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDDピンおよびENピンを一緒にシステム電源から直接、またはGPIO出力から駆動できます。TPSI2240-Q1のすべての制御構成では、一般的に必要とされる抵抗やローサイドスイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。

2次側は、S1からS2までのスタンドオフ電圧が±1.2kVの双方向MOSFETで構成されています。TI TPSI2240-Q1 MOSFETのアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システムレベルの誘電体耐性試験（HiPot）と最大1mA（TPSI2240C-Q1の場合は0.6mA、TPSI2240T-Q1の場合は3mA）のDC高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

TI TPSI2240-Q1は、自動車アプリケーション用にAEC-Q100認定済みです。

特徴

  • 自動車アプリケーション用に認定済み
    • AEC-Q100グレード1：-40°C～+125°C、TA
  • 低EMI：
    • 追加部品なしでCISPR25クラス5の性能に適合
  • アバランシェ定格MOSFETを内蔵
    • 誘電体耐性試験（Hi-Pot）の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA（60sパルス）
      • TPSI2240C-Q1 IAVA = 0.6mA（60sパルス）
      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA（60sパルス）
    • スタンドオフ電圧 1,200V
    • Ron = 130Ω（Tj = 25°C）
    • Ton、TOFF <>
    • IOFF = 1.22A（1000V時、Tj = 105°C）
  • 1次側低電源電流
    • オフ状態の電流（Tj = 25°C）：3.5µA
  • 機能安全に対応
    • ISO 26262およびIEC 61508システムの設計を支援するドキュメントを使用可能
  • 堅牢な絶縁バリア:
    • 動作電圧 1500VRMS/ 2120Vpcで予測寿命30年以上
    • 強化絶縁定格VISO、最大4750VRMS
  • 熱性能を向上させるワイドピンを備えたSOIC 11ピン（DWQ）パッケージ
    • 沿面距離とクリアランス距離：8mm以上（1次側 / 2次側）
    • 沿面距離とクリアランス距離：6mm以上（スイッチ端子間）
  • 安全関連認定
    • （申請予定）DIN EN IEC 60747-17（VDE 0884-17）
    • UL 1577部品認定プログラム（計画中）

アプリケーション

  • ソリッドステート リレー
  • ハイブリッド、電気、パワートレインシステム
  • バッテリマネジメントシステム（BMS）
  • エネルギー貯蔵システム（ESS）
  • ソーラーエネルギー
  • オンボード充電器
  • EV充電インフラ

簡素化されたアプリケーション・スキーム

回路図 - Texas Instruments TPSI2240-Q1 強化ソリッドステートリレー

ブロック図

ブロック図 - Texas Instruments TPSI2240-Q1 強化ソリッドステートリレー
公開: 2026-02-10 | 更新済み: 2026-02-16