ROHM Semiconductor シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。

特徴

  • Higher breakdown voltage (up to 10x field strength compared with silicon)
  • Higher temperature ranges
  • High-speed switching performance (over Silicon IGBTs)
  • Lower ON resistance per unit area (significantly improving power loss)

アプリケーション

  • Switch-mode power supplies
  • Solar inverters
  • Uninterruptible power supplies
  • Electric vehicle chargers
  • Induction heating equipment
  • Motor drives
  • Trains
  • Wind power converters

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リソース

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