Vishay Semiconductors SIC621CD 60A VRPower®統合電力段

Vishay SIC621CD 60A VRPower®統合電力段には、高電流、高い効率性、高電力密度の性能が備わっています。 SIC621CDを使用すると、1相あたり最大60Aの連続電流を供給できる電圧レギュレータの設計が可能になります。 SIC621CDは、スイッチング損失および伝動損失を大幅に低減しており、最先端のGen IV TrenchFETを活用しています。 SIC621CDにはゼロ電流検出が組み合わされており、高付加効率性、統合ブートストラップショットキーダイオード、適応型デッドタイム制御、高電流駆動能力が特徴の高度MOSFETゲートドライバICを改善できます。

特徴

  • Thermally enhanced PowerPAK® MLP55-31L package
  • Vishay Gen IV MOSFET technology and a low-side MOSFET with integrated Schottky diode
  • Delivers up to 60A continuous current
  • High-efficiency performance
  • High-frequency operation up to 2MHz
  • Power MOSFETs optimized for 12V input stage
  • 5V PWM logic with tri-state and hold-off
  • Supports PS4 mode light load requirement for IMVP8 with low shutdown supply current (5V, 5μA)
  • Undervoltage lockout for VCIN

アプリケーション

  • Multi-phase VRDs for computing, graphics card, and memory
  • Intel IMVP-8 VRPower delivery
  • Up to 18V rail input DC/DC VR modules
  • VCCGI for Apollo Lake platforms
  • VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake platforms

Typical Application Diagram

アプリケーション回路図 - Vishay Semiconductors SIC621CD 60A VRPower®統合電力段
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