CSD23203W

Texas Instruments
595-CSD23203W
CSD23203W

メーカ:

詳細:
MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥112.2 ¥112
¥68.6 ¥686
¥45.2 ¥4,520
¥35.6 ¥17,800
¥30.3 ¥30,300
完全リール(3000の倍数で注文)
¥24.5 ¥73,500
¥24.3 ¥145,800
¥22.9 ¥206,100
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

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MOSFET CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A A 595-CSD23203W

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
8 V
3 A
53 mOhms
- 6 V, 6 V
1.1 V
6.3 nC
- 55 C
+ 150 C
750 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 27 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 14 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 12 ns
シリーズ: CSD23203W
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 58 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14 ns
単位重量: 1.400 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854239099
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。