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CSD23203WT

Name: Texas Instruments CSD23203WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23203WT
Price: 263 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD23203WT

メーカ番号：

CSD23203WT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A A 595-CSD23203W

データシート:

CSD23203WT データシート

ECADモデル:

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完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

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数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥263.9	¥264
	¥165.9	¥1,659
	¥81.7	¥8,170
完全リール（250の倍数で注文）
	¥81.7	¥20,425
	¥72.7	¥36,350

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD23203W

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥112

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD23203W

詳細：

MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSBGA-6
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	8 V
Id - 連続ドレイン電流:	3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	53 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, 6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	800 mV
Qg - ゲート電荷:	4.9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	750 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	27 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	12 ns
シリーズ:	CSD23203W
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	58 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns
単位重量:	1.700 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD23203WT データシート

Images

Mechanical Outline Drawing

PCN

SPICE Models

CSD23203W PSpice Model (Rev. B)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。