RF MOSFETトランジスタ

結果: 587
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル トランジスタ極性 技術 Id - 連続ドレイン電流 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース 動作周波数 ゲイン 出力電力 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
MACOM RF MOSFETトランジスタ Power Amplifier 在庫なし
最低: 500
複数: 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 859 MHz to 960 MHz 17.5 dB 480 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275 在庫なし
最低: 250
複数: 250
: 250
Si Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ Power Amplifier 在庫なし
最低: 250
複数: 250
: 250

N-Channel Si 600 mA 105 V 70 mOhms 920 MHz to 960 MHz 19 dB 630 W Screw Mount HB2SOF-6-1 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288 在庫なし
最低: 250
複数: 250
: 250

Si Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 500
複数: 500
: 500

N-Channel Si 105 V 160 mOhms 746 MHz to 821 MHz 22.5 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 500
複数: 500
: 500

N-Channel Si 105 V 120 mOhms 755 MHz to 805 MHz 23.6 dB 370 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-2 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 500
複数: 500
: 500

N-Channel Si 105 V 160 mOhms 869 MHz to 960 MHz 22 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288 在庫なし
最低: 500
複数: 500
: 500
Si Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

Dual N-Channel Si 105 V 2.8 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 19.5 dB 25 W + 225 C SMD/SMT SON-16 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 50
複数: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 250
複数: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 50
複数: 50
: 50

N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 250
複数: 250
: 250

N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 50
複数: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET 在庫なし
最低: 250
複数: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 在庫なし
最低: 50
複数: 50
: 50

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology RF MOSFETトランジスタ RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 非在庫リードタイム 4 週間
最低: 1
複数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology RF MOSFETトランジスタ RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 非在庫リードタイム 3 週間
最低: 1
複数: 1

N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors RF MOSFETトランジスタ AFT05MP075N-54M 非在庫リードタイム 1 週間
最低: 1
複数: 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors RF MOSFETトランジスタ AFT05MS004-200M 非在庫リードタイム 1 週間
最低: 1
複数: 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors RF MOSFETトランジスタ AFT27S006N-1000M 非在庫リードタイム 1 週間
最低: 1
複数: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 160
複数: 160
: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 300
複数: 300
: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 100
複数: 100
: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 50
複数: 50

N-Channel Si 12 A 90 V 1.5 GHz 17.3 dB 80 W + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk