APC-E SiC MOSFET

結果: 20
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade 270在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade 288在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade 290在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade 262在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade 300在庫
300取寄中
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade 300在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade 300在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade 300在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade 300在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade 300在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade 290在庫
300取寄中
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
最低: 1
複数: 1
: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C