IXYS IXTP3N100 シリーズ MOSFET

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
データシート
60在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds
データシート
36在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 4.8 Ohms - 20 V, 20 V 4.8 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Polar Tube