Gen2 MOSFET

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
IXYS MOSFET 130 Amps 65V 在庫なし
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 65 V 130 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 40V 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube