STMicroelectronics SiC MOSFET

結果: 68
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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
データシート
1,597在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
データシート
2,319在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 73 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
データシート
969在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
データシート
570在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
データシート
714在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 21 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
データシート
5在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1
リール: 600

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
データシート
45在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 200 C 390 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
データシート
637在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
データシート
832在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
データシート
667在庫
600取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
データシート
1,071在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39.3 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 48.6 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
データシート
653在庫
納期・詳細を要確認
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
データシート
1,764在庫
1,799取寄中
最低： 1
複数： 1
リール: 1,800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 31 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
データシート
118在庫
納期・詳細を要確認
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
データシート
37在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1
リール: 1,800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
データシート
139在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
データシート
175在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
データシート
532在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 77 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
データシート
513在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
データシート
587在庫
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101

STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
データシート
471在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
データシート
338在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 51 nC - 55 C + 200 C 313 W Enhancement AEC-Q100


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
データシート
670在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q100


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
データシート
584在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
データシート
537在庫
600取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement