MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 657
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXOAB320IS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313CS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313CS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 960
複数: 480
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 960
複数: 480

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 960
複数: 480
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313IS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313IS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 960
複数: 480
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 696
複数: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel