IS61WV51216EDBLL シリーズ SRAM

結果: 8
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM 1,890在庫
2,853取寄中
最低: 1
複数: 1
最大: 170

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM 89在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 88

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
675取寄中
最低: 1
複数: 1
最大: 151

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 480
複数: 480

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel