MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 657
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,140
複数： 570

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel